Obecnie, pamięć frlash staje się przyczyną rewolucji w budowie urządzeń elektronicznych, dzięki takim cechom jak nieulotność,
możliwość wielokrotnego zapisu, oraz duża pojemność.Pamięć flash jest odmianą pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory).
Kasowanie i zapis odbywa się przez podanie odpowiednich sygnałów elektrycznych. Nazwa "flash" pochodzi od możliwości bardzo szybkiego kasowania
zapisanych komórek pamięci.Dyski wykonane w technologii flash są kompatybilne z dyskami twardymi tradycyjnymi (mechanicznymi). Wymiarami przypominają
dyski 2,5-calowe i są używane wszędzie, gdzie używa się dysków mechanicznych, a przede wszystkim w sytuacjach gdzie dyski mechaniczne wykazują małą
odporność fizyczną na uszkodzenia. Dyski takie są produkowane o pojemnościach od 32 MB do 4 GB, zasilane są napięciem od 3,3 V lub 5 V, czas startu zapisu
danych wynosi 2,5 ms, z kolei czas startu odczytu danych wynosi 50 ms, w przypadku dysku zasilanego napięciem 3,3 V moc pobierana przez urządzenie wynosi
tylko 70 mW (dysk mechaniczny ok. 3 W).

Począwszy od 2010 roku będzie można przyspieszyćpracę komputerów stacjonarnych za pomocą technologii Braidwood, która przewiduje stosowanie
wymiennych modułów pamięci NAND flash na płytach głównych. Dzięki buforowaniu danych, które system operacyjny w normalnym przypadku musiałby
pobierać z dysku twardego, określone programy, w tym również sam system, mogłyby startować znacznie szybciej -
taką obietnicę złożył Intel podczas targów Computex.